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js1996新兴立芯光电成功研造高功率1060nm SLD芯片

颁布功夫:2026-06-26 起源: 作者:赵子千
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近日,js1996新兴立芯光电成功研造出1060nm超辐射发光二极管(Super Luminescent Diode,SLD)芯片。该芯片的成功研造,将突破有关产品持久依赖进口的局面,为国内脉冲光纤激光器厂商提供不变、靠得住的国产主题器件供给,有力支持我国高端激光产业链的安全可控发展。

1060nm SLD芯片是光纤激光器的梦想种子源 ?砥譙LD型工作模式使其在注入光纤激光系统时,能有效抑造放大过程中的受激布里渊散射(Stimulated Brillouin Scattering,SBS)效应,突破系统峰值功率的上限,合用于高端精密造作、科学钻研及工业检测蹬爪用场景。该芯片持久被国表企业垄断,国内有关产业链存在“卡脖子”风险,严沉造约了我国高端激光设备的自主发展。

立芯光电研发团队经过深刻攻关,攻克了表延资料成长、波导弯曲角杜着化、腔面镀膜等一系列关键工艺难题,成功造备出高功率1060nm SLD芯片。经测试,该芯片在CW模式下,输出功率>700mW,3dB带宽>20nm,优于国际同类产品10nm的3dB带宽,在抑造光纤激光系统SBS效应方面拥有显著优势。

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